低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响

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	低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响
	吴雷学; 汪韬; 王警卫; 李晓婷; 景争; 尹飞; 梅书刚
作者部门	瞬态光学国家重点实验室
	2009
发表期刊	光子学报
ISSN	1004-4213
卷号	38 期号:8 页码:1937-1940
学科领域	红外技术及仪器
收录类别	其他
语种	中文
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/8240
专题	光电子学研究室
通讯作者	汪韬
推荐引用方式 GB/T 7714	吴雷学,汪韬,王警卫,等. 低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响[J]. 光子学报,2009,38(8):1937-1940.
APA	吴雷学.,汪韬.,王警卫.,李晓婷.,景争.,...&梅书刚.(2009).低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响.光子学报,38(8),1937-1940.
MLA	吴雷学,et al."低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响".光子学报 38.8(2009):1937-1940.