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| 半導体レーザ素子 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010034246A, 申请日期: 2010-02-12, 公开日期: 2010-02-12 发明人: 中原 宏治; 土屋 朋信; 寺野 昭久; 柳澤 浩徳 Adobe PDF(502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:52/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザ素子の駆動方法および半導体レーザ装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009302365A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24 发明人: 中原 宏治 Adobe PDF(217Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:50/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 光半导体元件 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN100530867C, 申请日期: 2009-08-19, 公开日期: 2009-08-19 发明人: 中原宏治; 工藤真; 田中滋久; 白井正敬 Adobe PDF(1587Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:61/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半導体レーザ 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP4003250B2, 申请日期: 2007-08-31, 公开日期: 2007-11-07 发明人: 青木 雅博; 中原 宏治; 魚見 和久; 土屋 朋信; 佐藤 宏 Adobe PDF(99Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:76/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザモジュール 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001094200A, 申请日期: 2001-04-06, 公开日期: 2001-04-06 发明人: 中原 宏治; 魚見 和久 Adobe PDF(56Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:50/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザ装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000277867A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06 发明人: 北谷 健; 近藤 正彦; 中原 宏治 Adobe PDF(68Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:44/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザと並列伝送用光送信モジュールおよびそれらを使用した応用システム 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150322A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02 发明人: 中原 宏治; 豊中 隆司; 芳賀 徹; 谷渡 剛; 魚見 和久 Adobe PDF(38Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:55/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 面発光半導体レーザおよびそれを用いた光送信モジュールならびにシステム 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999145560A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28 发明人: 北谷 健; 近藤 正彦; 中原 宏治; マイク ラルソン Adobe PDF(81Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:65/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999087848A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30 发明人: 近藤 正彦; 北谷 健; 中原 宏治 Adobe PDF(81Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:58/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体レーザ及び並列伝送用光送信モジュール 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997232666A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05 发明人: 魚見 和久; 中原 宏治; 土屋 朋信 Adobe PDF(35Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:65/0  |  提交时间:2019/12/31 |