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半導体レーザ、電子交換機及び半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004055917A, 申请日期: 2004-02-19, 公开日期: 2004-02-19
发明人:  外崎 峰広;  加藤 豪作;  矢島 正一
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半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法、半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000208876A, 申请日期: 2000-07-28, 公开日期: 2000-07-28
发明人:  加藤 豪作;  伊藤 哲
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半導體發光元件之製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW389012B, 申请日期: 2000-05-01, 公开日期: 2000-05-01
发明人:  加藤豪作;  野口裕泰;  長井政春
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999150330A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
发明人:  野口 裕泰;  加藤 豪作;  長井 政春
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996111566A, 申请日期: 1996-04-30, 公开日期: 1996-04-30
发明人:  加藤 豪作;  奥山 浩之
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996097519A, 申请日期: 1996-04-12, 公开日期: 1996-04-12
发明人:  奥山 浩之;  石橋 晃;  加藤 豪作;  吉田 浩;  中野 一志;  浮田 昌一;  喜嶋 悟;  岡本 桜子
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