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半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1841864A, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04
发明人:  山口勤;  畑雅幸;  狩野隆司;  庄野昌幸;  大保广树;  野村康彦;  伊豆博昭
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光半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2827411B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
发明人:  寺門 知二;  味澤 昭;  山口 昌幸;  小松 啓郎
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半導体光集積素子とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2771276B2, 申请日期: 1998-04-17, 公开日期: 1998-07-02
发明人:  村田 茂;  山口 昌幸
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選択成長導波型光制御素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2760276B2, 申请日期: 1998-03-20, 公开日期: 1998-05-28
发明人:  小松 啓郎;  北村 光弘;  山口 昌幸
Adobe PDF(65Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/12/24
波長可変半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2687884B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
发明人:  山口 昌幸
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集積型半導体光変調器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2596186B2, 申请日期: 1997-01-09, 公开日期: 1997-04-02
发明人:  山口 昌幸
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可視光半導体発光装置とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996228041A, 申请日期: 1996-09-03, 公开日期: 1996-09-03
发明人:  浜田 弘喜;  本多 正治;  庄野 昌幸;  山口 隆夫
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可視光半導体発光装置とその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996228050A, 申请日期: 1996-09-03, 公开日期: 1996-09-03
发明人:  浜田 弘喜;  本多 正治;  庄野 昌幸;  山口 隆夫
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変調器集積化光源の選別方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996086718A, 申请日期: 1996-04-02, 公开日期: 1996-04-02
发明人:  山口 昌幸
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995297483A, 申请日期: 1995-11-10, 公开日期: 1995-11-10
发明人:  池上 隆俊;  本多 正治;  庄野 昌幸;  廣山 良治;  茨木 晃;  吉年 慶一;  山口 隆夫
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