Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 波長可変半導体レーザ及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 波長可変半導体レーザ及びその製造方法 |
| 山口 昌幸 | |
| 1997-08-22 | |
| 专利权人 | 日本電気株式会社 |
| 公开日期 | 1997-12-08 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 単一の制御電流で連続的な波長制御が可能な波長可変半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【構成】 活性領域、位相調整領域、DBR領域の3領域からなる分布反射型半導体レーザであって、位相調整領域のチューニング層はDBR領域のチューニング層に比べ層厚が厚いか、または波長組成が長波長に設定されており、位相調整領域及びDBR領域に均一に電流注入することで連続的な波長制御を実現する。チューニング層は選択MOVPE法により成長することで、位相調整領域とDBR領域とで厚さ及び波長組成を変える。 |
| 其他摘要 | [目的]提供一种能够通过单一控制电流进行连续波长控制的可调谐半导体激光器及其制造方法。 一种分布式布拉格反射器半导体激光器，包括三个区域：有源区域，相位调整区域和DBR区域，其中相位调整区域中的调谐层比DBR区域中的调谐层厚，或者具有波长成分设定为长波长，通过将电流均匀地注入相位调整区域和DBR区域来实现连续波长控制。通过选择性MOVPE方法生长调谐层，以改变相位控制区域和DBR区域之间的厚度和波长组成。 |
| 授权日期 | 1997-08-22 |
| 申请日期 | 1994-07-15 |
| 专利号 | JP2687884B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994163515 |
| 公开（公告）号 | JP2687884B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/0625 | H01S | H01S5/00 | H01S5/20 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 京本 直樹 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42140 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 昌幸. 波長可変半導体レーザ及びその製造方法. JP2687884B2[P]. 1997-08-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2687884B2.PDF（41KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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