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氮化物类发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109075530A, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-12-21
发明人:  高山彻;  中谷东吾;  狩野隆司;  左文字克哉
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氮化物半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102208754A, 申请日期: 2011-10-05, 公开日期: 2011-10-05
发明人:  狩野隆司
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窒化物系半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007150371A, 申请日期: 2007-06-14, 公开日期: 2007-06-14
发明人:  野村 康彦;  井上 大二朗;  畑 雅幸;  狩野 隆司
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窒化物系半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006332713A, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07
发明人:  野村 康彦;  狩野 隆司
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半导体激光元件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1841864A, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04
发明人:  山口勤;  畑雅幸;  狩野隆司;  庄野昌幸;  大保广树;  野村康彦;  伊豆博昭
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発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3796065B2, 申请日期: 2006-04-21, 公开日期: 2006-07-12
发明人:  林 伸彦;  狩野 隆司
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発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3443185B2, 申请日期: 2003-06-20, 公开日期: 2003-09-02
发明人:  狩野 隆司
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000277860A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
发明人:  狩野 隆司;  大保 広樹
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半導体レ—ザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000216490A, 申请日期: 2000-08-04, 公开日期: 2000-08-04
发明人:  林 伸彦;  狩野 隆司
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発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000196200A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14
发明人:  林 伸彦;  狩野 隆司
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