光半導体素子及びその製造方法

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	光半導体素子及びその製造方法
其他题名	光半導体素子及びその製造方法
	寺門知二; 味澤昭; 山口昌幸; 小松啓郎
	1998-09-18
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1998-11-25
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To lower an element capacity and to execute an ultrahigh-speed operation by a method wherein a high-resistance substrate is used, a semiconductor multilayer structure including an active layer is provided on it, and a wiring which connects an electrode formed at the upper part of the semiconductor multilayer structure to a bonding pad formed on the high-resistance semiconductor substrate is formed into an air-bridge structure. CONSTITUTION:An optical modulator is formed so as to have a structure in which both sides of a mesa stripe 6 composed of a multilayer structure by an InP buffer layer 2, an undoped InGaAsP waveguide layer 3, a p-InP clad layer 4 and a p-InGaAs cap layer 5 are filled into Fe-doped InP high-resistance layers 7. Bonding pads 15 composed of a metal are formed selectively on one main face of a high-resistance semiconductor substrate 1 composed of Fe-doped InP; an interconnection 14 which connects the optical modulator to the bonding pad 15 has an air-bridge structure on a semiconductor layer of the optical modulator.
其他摘要	用途：为了降低元件容量并通过其中使用高电阻衬底的方法执行超高速操作，在其上提供包括有源层的半导体多层结构，以及连接在其上形成的电极的布线。半导体多层结构的上部到形成在高电阻半导体衬底上的键合焊盘形成为空气桥结构。组成：光学调制器形成为具有这样的结构，其中台面条6的两侧由多层结构组成，由InP缓冲层2，未掺杂的InGaAsP波导层3，p-InP包层4和将p-InGaAs盖层5填充到Fe掺杂的InP高电阻层7中。选择性地在由Fe掺杂的InP构成的高电阻半导体衬底1的一个主面上形成由金属构成的键合焊盘15。将光调制器连接到键合焊盘15的互连14在光调制器的半导体层上具有空气桥结构。
申请日期	1990-03-13
专利号	JP2827411B2
专利状态	失效
申请号	JP1990062981
公开（公告）号	JP2827411B2
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/02 \| H01S \| G02F \| G02F1/025 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86851
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	寺門知二,味澤昭,山口昌幸,等. 光半導体素子及びその製造方法. JP2827411B2[P]. 1998-09-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2827411B2.PDF（46KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文