集積型半導体光変調器

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	集積型半導体光変調器
其他题名	集積型半導体光変調器
	山口昌幸
	1997-01-09
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1997-04-02
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To ensure optical transmission without transmission power penalty by integrating on the same semiconductor substrate a distributed feedback type semiconductor laser having a diffraction grating and an electric field absorption type semiconductor optical modulator with a changing light absorption characteristic, thereby elongating the resonator length. CONSTITUTION:A diffraction grating 2 is formed on a surface of an n-InP semiconductor substrate 1 at a portion corresponding to a lasing region of the same, and is adapted to be a phase drift type diffusion grating having a phase shift part 3 at the center of the lasing region. There are selectively formed on the semiconductor substrate 1 a 15mum band-gap wavelength InGaAsP light guide layer 4, an InGaAs/InGaAsP multiple quantum well active layer 5 formed on the lasing region on the former, and an InGaAsP optical absorption layer 6 formed on a modulation region. A p-InP cladding layer 7 and a p- InGaAs capping layer 8 are formed on the active layer 5 and the absorption layer 6, and the capping layer 8 isolates a lasing part from a modulation part. The lasing part is made 600mum or more in its length.
其他摘要	目的：通过在相同的半导体衬底上集成具有衍射光栅的分布式反馈型半导体激光器和具有改变的光吸收特性的电场吸收型半导体光学调制器，从而延长谐振器长度，以确保光传输而没有传输功率损失。组成：衍射光栅2形成在n-InP半导体衬底1的表面上与其激光区域相对应的部分，并且适合于相位漂移型漫射光栅，在其上具有相移部分3。激光区域的中心。在半导体衬底1上选择性地形成15μm的带隙波长InGaAsP光导层4，在前者的激光区上形成的InGaAs / InGaAsP多量子阱有源层5，以及在其上形成的InGaAsP光吸收层6。调制区域。在有源层5和吸收层6上形成p-InP包层7和p + -InGaAs覆盖层8，并且覆盖层8将激光部分与调制部分隔离。激光部分的长度为600μm或更长。
主权项	-
申请日期	1990-06-22
专利号	JP2596186B2
专利状态	失效
申请号	JP1990164406
公开（公告）号	JP2596186B2
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S \| G02F \| G02F1/025 \| H01S5/00 \| G02F1/015 \| H01S3/18
专利代理人	京本直樹 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45770
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	山口昌幸. 集積型半導体光変調器. JP2596186B2[P]. 1997-01-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2596186B2.PDF（238KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文