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| 半導体レーザ素子とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3291431B2, 申请日期: 2002-03-22, 公开日期: 2002-06-10
发明人: ▲広▼山 良治; 上谷 ▲高▼弘; 太田 潔; 米田 幸司; 庄野 昌幸; 茨木 晃; 吉年 慶一
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| 自励発振型半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3249291B2, 申请日期: 2001-11-09, 公开日期: 2002-01-21
发明人: 庄野 昌幸; 本多 正治; 池上 隆俊; 別所 靖之; 茨木 晃; 吉年 慶一
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| 半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3238974B2, 申请日期: 2001-10-05, 公开日期: 2001-12-17
发明人: 吉年 慶一; 茨木 晃; 林 伸彦; 古沢 浩太郎; 田尻 敦志; 石川 徹; 松川 健一; 三宅 輝明; 後藤 壮謙
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| 半導体レ—ザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999330636A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
发明人: 庄野 昌幸; 廣山 良治; 吉年 慶一
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2804533B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-30
发明人: 別所 靖之; 米田 幸司; 吉年 慶一; 山口 隆夫
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| 半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997321385A, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1997-12-12
发明人: ▲広▼山 良治; 上谷 ▲高▼弘; 太田 潔; 米田 幸司; 庄野 昌幸; 茨木 晃; 吉年 慶一
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2686133B2, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-12-08
发明人: 冨永 浩司; 吉年 慶一; 山口 隆夫
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| 半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995312465A, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28
发明人: 庄野 昌幸; 廣山 良治; 吉年 慶一
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| 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995297483A, 申请日期: 1995-11-10, 公开日期: 1995-11-10
发明人: 池上 隆俊; 本多 正治; 庄野 昌幸; 廣山 良治; 茨木 晃; 吉年 慶一; 山口 隆夫
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| 半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995297482A, 申请日期: 1995-11-10, 公开日期: 1995-11-10
发明人: 別所 靖之; 庄野 昌幸; 本多 正治; 池上 隆俊; 茨木 晃; 吉年 慶一; 山口 隆夫
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