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High Efficiency 1.9 kW Single Diode Laser Bar Epitaxially Stacked with a Tunnel Junction 期刊论文
IEEE Photonics Journal, 2021, 卷号: 13, 期号: 3
作者:  Zhao, Yuliang;  Wang, Zhenfu;  Demir, Abdullah;  Yang, Guowen;  Ma, Shufang;  Xu, Bingshe;  Sun, Cheng;  Li, Bo;  Qiu, Bocang
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semiconductor laser  diode laser bar  high power  power conversion efficiency  tunnel junction  
一种高功率准连续半导体激光器芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209313194U, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
发明人:  李青民;  孙丞;  仇伯仓;  李波
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一种高功率准连续半导体激光器芯片 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109616869A, 申请日期: 2019-04-12, 公开日期: 2019-04-12
发明人:  李青民;  孙丞;  仇伯仓;  李波
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一种有源光纤光子暗化测试的电路系统 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106197951B, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2018-09-18
发明人:  刘晓光;  张雅婷;  孙程;  陶金金;  曹蓓蓓
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