Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种高功率准连续半导体激光器芯片 | |
| 其他题名 | 一种高功率准连续半导体激光器芯片 |
| 李青民; 孙丞; 仇伯仓; 李波 | |
| 2019-08-27 | |
| 专利权人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-08-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提出一种高功率准连续半导体激光器芯片。该高功率准连续半导体激光器芯片的P型限制层为台阶形态，其中，台阶上层限于台阶基础的中部区域，所述P型接触层限于该台阶上层的表面，所述绝缘层在器件表面相应形成弯折形态，依次覆盖于：1)P型接触层表面未被金属电极覆盖的区域、2)P型接触层侧面和所述台阶上层的侧面、以及3)所述台阶基础的表面。本实用新型结构简明，有效降低了器件的阈值电流、远场发散角，改善了器件性能，同时保证了其可靠性不受影响，使其满足要求更高的场合。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提出一种高功率准连续半导体激光器芯片。该高功率准连续半导体激光器芯片的P型限制层为台阶形态，其中，台阶上层限于台阶基础的中部区域，所述P型接触层限于该台阶上层的表面，所述绝缘层在器件表面相应形成弯折形态，依次覆盖于：1)P型接触层表面未被金属电极覆盖的区域、2)P型接触层侧面和所述台阶上层的侧面、以及3)所述台阶基础的表面。本实用新型结构简明，有效降低了器件的阈值电流、远场发散角，改善了器件性能，同时保证了其可靠性不受影响，使其满足要求更高的场合。 |
| 授权日期 | 2019-08-27 |
| 申请日期 | 2018-12-28 |
| 专利号 | CN209313194U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201822235268.X |
| 公开（公告）号 | CN209313194U |
| IPC 分类号 | H01S5/32 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 胡乐 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38884 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李青民,孙丞,仇伯仓,等. 一种高功率准连续半导体激光器芯片. CN209313194U[P]. 2019-08-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN209313194U.PDF（501KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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