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半導体結晶構造体、半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3497290B2, 申请日期: 2003-11-28, 公开日期: 2004-02-16
发明人:  大塚 信之;  鬼頭 雅弘;  石野 正人;  松井 康
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窒化物半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3454181B2, 申请日期: 2003-07-25, 公开日期: 2003-10-06
发明人:  木戸口 勲;  大塚 信之;  伴 雄三郎
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窒化物系半導体素子及び製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003017790A, 申请日期: 2003-01-17, 公开日期: 2003-01-17
发明人:  石橋 明彦;  川口 靖利;  大塚 信之
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歪量子井戸結晶の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3385985B2, 申请日期: 2003-01-10, 公开日期: 2003-03-10
发明人:  大塚 信之;  鬼頭 雅弘;  石野 正人;  松井 康
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半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3264179B2, 申请日期: 2001-12-28, 公开日期: 2002-03-11
发明人:  稲葉 雄一;  石野 正人;  大塚 信之
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半導体分布帰還型レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3191669B2, 申请日期: 2001-05-25, 公开日期: 2001-07-23
发明人:  鬼頭 雅弘;  大塚 信之;  石野 正人;  松井 康
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3166236B2, 申请日期: 2001-03-09, 公开日期: 2001-05-14
发明人:  大塚 信之;  鬼頭 雅弘;  松井 康
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半導体レーザ装置又は光導波路およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2969939B2, 申请日期: 1999-08-27, 公开日期: 1999-11-02
发明人:  大塚 信之;  石野 正人;  松井 康
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999220220A, 申请日期: 1999-08-10, 公开日期: 1999-08-10
发明人:  鬼頭 雅弘;  大塚 信之;  石野 正人;  松井 康;  稲葉 雄一
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998242577A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
发明人:  稲葉 雄一;  石野 正人;  大塚 信之;  鬼頭 雅弘
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