Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 大塚 信之; 鬼頭 雅弘; 松井 康 | |
| 2001-03-09 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2001-05-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 分布利得型DFBレーザに関するもので、特にTMモード発振を抑圧した安定な単一モード発振が得られ、さらにホールバーニングを低減する形状を提供することで高歩留まり化を実現した半導体レーザ装置の構造および製造方法を提供する。 【構成】 n-InP基板1上に、分布利得型回折格子2を形成したInGaAsP(λ=3μm)導波路層5、分布帰還型形回折格子4を形成したInGaAsP(λ=55μm)活性層6、p-n-pInP埋め込み層7、p-InGaAsP(λ=3μm)キャップ層8、蒸着によりAu/Znp側電極9、Au-Sn n側電極10よりなる。最後に多層反射膜11、無反射膜12を堆積しレーザ構造を得る。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种分布式增益型DFB激光器，更具体地说，涉及一种通过提供稳定的单模振荡抑制TM模式振荡并进一步提供减少烧孔的形状来实现高产量的半导体激光器件。以及制造它的方法。 形成有分布增益型衍射光栅2的InGaAsP（λ=3μm）波导层5，具有在n型InP衬底1上形成的分布反馈型衍射光栅4的InGaAsP（λ=55μm）活性通过气相沉积，层6，pn-pInP掩埋层7，p-InGaAsP（λ=3μm）覆盖层8，Au / Znp侧电极9和Au-Sn n侧电极10。最后，沉积多层反射膜11和非反射膜12以获得激光器结构。 |
| 申请日期 | 1991-10-02 |
| 专利号 | JP3166236B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991255176 |
| 公开（公告）号 | JP3166236B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S5/12 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85284 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 信之,鬼頭 雅弘,松井 康. 半導体レーザおよびその製造方法. JP3166236B2[P]. 2001-03-09. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3166236B2.PDF（42KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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