Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体結晶構造体、半導体レーザおよびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体結晶構造体、半導体レーザおよびその製造方法 |
| 大塚 信之; 鬼頭 雅弘; 石野 正人; 松井 康 | |
| 2003-11-28 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2004-02-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 緩和振動周波数が高く、高出力の半導体レーザを提供する。 【構成】 SnドープInP基板1上に成長したInGaAsP導波路層2、厚み6nmのInGaAsP歪井戸層3、厚み10nmのInGaAsPバリア層4、井戸層数10の歪多重量子井戸5、InGaAsP導波路層6、InP電流狭搾層7で構成する。歪多重量子井戸の結晶成長は650℃以上で行う。これにより、歪多重量子井戸5はオーダリングをおこさず、井戸層3に大きな歪を導入することができるため、緩和振動周波数が高く、高出力の半導体レーザを実現できる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供弛豫振荡频率高且输出高的半导体激光器。解决方案：半导体激光器由InGaAsP波导层2构成，该InGaAsP波导层2在厚度为6nm的InGaAsP应变阱层3的Sn掺杂InP衬底1，厚度为10nm的InGaAsP势垒层4上生长，应变多量子阱5，其阱层数为10，InGaAsP波导层6和InP电流限制层。应变多量子阱的晶体在650℃或更高温度下生长。因此，应变多量子阱5不产生有序操作，并且可以将大的应变引入阱层3.结果，可以实现弛豫振荡频率高并且其输出为的半导体激光器。高。 |
| 授权日期 | 2003-11-28 |
| 申请日期 | 1995-08-25 |
| 专利号 | JP3497290B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995217226 |
| 公开（公告）号 | JP3497290B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L21/205 | H01S5/32 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42171 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 信之,鬼頭 雅弘,石野 正人,等. 半導体結晶構造体、半導体レーザおよびその製造方法. JP3497290B2[P]. 2003-11-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3497290B2.PDF（291KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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