Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体分布帰還型レーザ装置及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体分布帰還型レーザ装置及びその製造方法 |
| 鬼頭 雅弘; 大塚 信之; 石野 正人; 松井 康 | |
| 2001-05-25 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2001-07-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 しきい値電流が低く、発光効率が高い利得結合型分布帰還型レーザ装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 InP基板1上に多層構造が形成されている。多層構造は少なくとも活性層8を含んでおり、活性層8とInP基板1の間に、レーザ光のエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有する吸収層19が周期的に設けられている。吸収層19のバンドギャップエネルギーがInP基板1に対して垂直方向に分布を持ち、吸収層19のバンドギャップエネルギーが活性層側8から離れるに従い小さくすることにより、吸収飽和が生じにくく、かつ吸収損失を小さくすることが可能となる。 |
| 其他摘要 | 种类代码：A1提供一种具有低阈值电流和高发光效率的增益耦合型分布式反馈激光器件。 在InP衬底上形成多层结构。多层结构至少包括有源层8，并且在有源层8和InP衬底1之间周期性地提供具有小于激光能量的带隙能量的吸收层19。由于吸收层19的带隙能量在垂直于InP衬底1的方向上具有分布，并且随着与有源层侧8的距离减小，吸收层19的带隙能量减小，因此几乎不发生吸收饱和并且吸收损失可以减少。 |
| 授权日期 | 2001-05-25 |
| 申请日期 | 1996-04-11 |
| 专利号 | JP3191669B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996089233 |
| 公开（公告）号 | JP3191669B2 |
| IPC 分类号 | H01L29/80 | H01L | H01S | H01S5/12 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35131 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鬼頭 雅弘,大塚 信之,石野 正人,等. 半導体分布帰還型レーザ装置及びその製造方法. JP3191669B2[P]. 2001-05-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3191669B2.PDF（80KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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