半導体発光装置およびその製造方法

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	半導体発光装置およびその製造方法
其他题名	半導体発光装置およびその製造方法
	稲葉雄一; 石野正人; 大塚信之
	2001-12-28
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2002-03-11
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】簡単な工程によりリッジ導波路型半導体レーザを製造する。【解決手段】 n-InP基板101上に、n-InGaAsP光導波路層102、InGaAsP井戸層とInGaAsPバリア層から成る多重量子井戸活性層103、p-InGaAsP光導波路層104、さらにp-InPキャップ層105を有機金属気相成長法を用いて順次エピタキシャル成長させ、半導体多層構造を形成する。p-InPキャップ層105上にCVD法によりSiO2膜を堆積してパターニングする。ウェットエッチングによって絶縁膜マスク106を形成する。絶縁膜マスク106を設けたn-InP基板101上に、p-InPクラッド層107、p-InGaAsコンタクト層108を順次エピタキシャル成長させる。さらにマスク開口部分の領域のみにp-InPクラッド層107、p-InGaAsコンタクト層108の成長が行われる。これにより、自動的にリッジ導波路型半導体レーザが形成される。このレーザの製造方法では、リッジの幅が正確に規定できるため均一性の高いリッジ形成が可能となる。
其他摘要	要解决的问题：通过简单的工艺制造脊形波导半导体激光器。至A N-InP基片101，正的InGaAsP光波导层102，的InGaAsP阱层和多量子阱有源层103制成的InGaAsP阻挡层，和p-InGaAsP光波导层104，另外的p的InP覆盖层的使用金属有机化学气相沉积法依次外延生长105，以形成半导体多层结构。通过CVD方法在p-InP盖层105上沉积SiO 2膜并将其图案化。通过湿法蚀刻形成绝缘膜掩模106。在其上设置有绝缘膜正InP衬底101掩模106，依次外延生长p-InP包层107，p型InGaAs接触层108。此外，p-InP包层107和p-InGaAs接触层108仅在掩模开口部分的区域中生长。结果，自动形成脊形波导半导体激光器。在该激光制造方法中，由于可以精确地限定脊的宽度，因此可以形成具有高均匀性的脊。
申请日期	1996-07-10
专利号	JP3264179B2
专利状态	失效
申请号	JP1996180325
公开（公告）号	JP3264179B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/026 \| H01S5/00
专利代理人	岩橋文雄 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85297
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	稲葉雄一,石野正人,大塚信之. 半導体発光装置およびその製造方法. JP3264179B2[P]. 2001-12-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3264179B2.PDF（62KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文