Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 鬼頭 雅弘; 大塚 信之; 石野 正人; 松井 康; 稲葉 雄一 | |
| 1999-08-10 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 1999-08-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 (1)低しきい値電流及び高スロープ効率特性を有し、且つ出射角が狭い半導体レーザ装置、(2)その製造方法、及び(3)上記のような半導体レーザ装置を光源として含む光通信システムを提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置が、基板と、該基板上に形成された多層構造と、を備えた半導体レーザ装置であって、該多層構造は、少なくとも活性層を有する光導波領域と、該光導波領域の周囲を埋め込む埋め込み層と、を含み、該光導波領域は共振器長方向に対してストライプ状に形成されており、該光導波領域のストライプ幅は、前端面における幅W1と後端面における幅W2とがW1 |
| 其他摘要 | A（1）具有低的阈值电流和高斜率效率特性和排放角是如上述作为光源描述小半导体激光装置，（2）的制造相同的方法，和（3）的半导体激光装置和光通信系统。
一种半导体激光器件，包括基板，形成在基板上的多层结构，多层结构，具有至少一个有源层的光波导区，光导的半导体激光装置包括掩埋层掩埋波区域的周围，形成，光波导路区域中的条纹状相对于谐振器长度方向，光波导区域的条纹宽度，宽度W1和前端面的后表面满足的宽度W2为W1 |
| 申请日期 | 1996-12-26 |
| 专利号 | JP1999220220A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998330066 |
| 公开（公告）号 | JP1999220220A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 | H01S5/227 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 山本 秀策 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79548 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鬼頭 雅弘,大塚 信之,石野 正人,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1999220220A[P]. 1999-08-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999220220A.PDF（313KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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