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一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
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一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
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半导体激光加工装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109604838A, 申请日期: 2019-04-12, 公开日期: 2019-04-12
发明人:  陈畅;  柳啸;  范小贞;  唐立恒;  张一谋;  袁广为;  王婷入;  李福海;  高云峰
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一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108155562A, 申请日期: 2018-06-12, 公开日期: 2018-06-12
发明人:  武爱民;  何兵;  仇超;  盛振;  高腾;  甘甫烷;  王曦
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一种新型激光透射焊接连接方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103056525A, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2013-04-24
发明人:  刘会霞;  赵振关;  陈浩;  黄创;  严长;  高阳阳;  蒋涛;  薛国春;  李品;  王霄
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一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102660775A, 申请日期: 2012-09-12, 公开日期: 2012-09-12
发明人:  陈芳;  李占国;  刘国军;  魏志鹏;  马晓辉;  徐莉;  周璐;  张晶;  李梅;  安宁;  王博;  张升云;  田珊珊;  高娴;  刘超;  单少杰;  孙鹏;  刘晓轩
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表面等离子体共振实验仪 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101599229A, 申请日期: 2009-12-09, 公开日期: 2009-12-09
发明人:  隋成华;  汪超;  蔡霞;  申屠藩;  柳永宽;  魏高尧;  许晓军
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