Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法 | |
其他题名 | 一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法 |
武爱民; 何兵; 仇超; 盛振; 高腾; 甘甫烷; 王曦 | |
2018-06-12 | |
专利权人 | 上海新微科技服务有限公司 |
公开日期 | 2018-06-12 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本发明提供一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法,包括步骤:步骤1),提供一基底,采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜;步骤2),采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶,所述硅纳米晶镶嵌于二氧化硅薄膜中;步骤3),对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理,以去除二氧化硅薄膜及硅纳米晶中的缺陷和悬挂键。本发明分别采用铝和磷进行P型和N型掺杂,扩大了硅纳米晶发光的光谱范围,降低了由于俄歇效应产生的光子吸收,提高了硅纳米晶发光效率,同时,本发明所制得的硅纳米晶杂质掺杂量可调,结晶质量好,是一种理想的硅基片上光源。 |
其他摘要 | 本发明提供一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法,包括步骤:步骤1),提供一基底,采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜;步骤2),采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶,所述硅纳米晶镶嵌于二氧化硅薄膜中;步骤3),对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理,以去除二氧化硅薄膜及硅纳米晶中的缺陷和悬挂键。本发明分别采用铝和磷进行P型和N型掺杂,扩大了硅纳米晶发光的光谱范围,降低了由于俄歇效应产生的光子吸收,提高了硅纳米晶发光效率,同时,本发明所制得的硅纳米晶杂质掺杂量可调,结晶质量好,是一种理想的硅基片上光源。 |
主权项 | 一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法,其特征在于,包括步骤: 步骤1),提供一基底,采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜; 步骤2),采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶; 步骤3),对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理。 |
申请日期 | 2016-12-05 |
专利号 | CN108155562A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201611100728.7 |
公开(公告)号 | CN108155562A |
IPC 分类号 | H01S5/30 |
专利代理人 | 罗泳文 |
代理机构 | 上海光华专利事务所(普通合伙) |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57520 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 上海新微科技服务有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 武爱民,何兵,仇超,等. 一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法. CN108155562A[P]. 2018-06-12. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN108155562A.PDF(429KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[武爱民]的文章 |
[何兵]的文章 |
[仇超]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[武爱民]的文章 |
[何兵]的文章 |
[仇超]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[武爱民]的文章 |
[何兵]的文章 |
[仇超]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论