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一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法
其他题名一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法
武爱民; 何兵; 仇超; 盛振; 高腾; 甘甫烷; 王曦
2018-06-12
专利权人上海新微科技服务有限公司
公开日期2018-06-12
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法,包括步骤:步骤1),提供一基底,采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜;步骤2),采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶,所述硅纳米晶镶嵌于二氧化硅薄膜中;步骤3),对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理,以去除二氧化硅薄膜及硅纳米晶中的缺陷和悬挂键。本发明分别采用铝和磷进行P型和N型掺杂,扩大了硅纳米晶发光的光谱范围,降低了由于俄歇效应产生的光子吸收,提高了硅纳米晶发光效率,同时,本发明所制得的硅纳米晶杂质掺杂量可调,结晶质量好,是一种理想的硅基片上光源。
其他摘要本发明提供一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法,包括步骤:步骤1),提供一基底,采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜;步骤2),采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶,所述硅纳米晶镶嵌于二氧化硅薄膜中;步骤3),对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理,以去除二氧化硅薄膜及硅纳米晶中的缺陷和悬挂键。本发明分别采用铝和磷进行P型和N型掺杂,扩大了硅纳米晶发光的光谱范围,降低了由于俄歇效应产生的光子吸收,提高了硅纳米晶发光效率,同时,本发明所制得的硅纳米晶杂质掺杂量可调,结晶质量好,是一种理想的硅基片上光源。
主权项一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法,其特征在于,包括步骤: 步骤1),提供一基底,采用低压化学气相沉积法于基底上沉积出铝和磷掺杂的二氧化硅薄膜; 步骤2),采用分相热处理工艺使所述二氧化硅薄膜中分相析出铝和磷掺杂的硅纳米晶; 步骤3),对所述二氧化硅薄膜及硅纳米晶进行氢气钝化处理。
申请日期2016-12-05
专利号CN108155562A
专利状态申请中
申请号CN201611100728.7
公开(公告)号CN108155562A
IPC 分类号H01S5/30
专利代理人罗泳文
代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57520
专题半导体激光器专利数据库
作者单位上海新微科技服务有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
武爱民,何兵,仇超,等. 一种铝、磷共掺杂硅纳米晶的制备方法. CN108155562A[P]. 2018-06-12.
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