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Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
发明人:  唐吉龙;  魏志鹏;  方铉;  房丹;  高娴;  牛守柱;  王菲;  马晓辉;  王晓华
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Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
发明人:  唐吉龙;  魏志鹏;  方铉;  房丹;  高娴;  牛守柱;  王菲;  马晓辉;  王晓华
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一种量子点带间级联激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105977788A, 申请日期: 2016-09-28, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  魏志鹏;  唐吉龙;  方铉;  刘雪;  高娴;  贾慧民;  范杰;  马晓辉;  王晓华
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一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102660775A, 申请日期: 2012-09-12, 公开日期: 2012-09-12
发明人:  陈芳;  李占国;  刘国军;  魏志鹏;  马晓辉;  徐莉;  周璐;  张晶;  李梅;  安宁;  王博;  张升云;  田珊珊;  高娴;  刘超;  单少杰;  孙鹏;  刘晓轩
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