Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法 | |
| 其他题名 | 一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法 |
陈芳; 李占国; 刘国军; 魏志鹏; 马晓辉; 徐莉; 周璐; 张晶; 李梅; 安宁; 王博 ; 张升云; 田珊珊; 高娴; 刘超; 单少杰; 孙鹏; 刘晓轩
| |
| 2012-09-12 | |
| 专利权人 | 长春理工大学 |
| 公开日期 | 2012-09-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理GaSb衬底的方法，采用硫钝化与快速热退火结合处理GaSb衬底，能更大程度降低n型GaSb表面复合率，改善n型GaSb表面的电学特性，使具有稳定的界面，提高n型GaSb基半导体激光器器件的可靠性。 |
| 其他摘要 | 本发明提出了一种硫钝化与快速热退火二步法处理GaSb衬底的方法，采用硫钝化与快速热退火结合处理GaSb衬底，能更大程度降低n型GaSb表面复合率，改善n型GaSb表面的电学特性，使具有稳定的界面，提高n型GaSb基半导体激光器器件的可靠性。 |
| 申请日期 | 2012-04-24 |
| 专利号 | CN102660775A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210120413.4 |
| 公开（公告）号 | CN102660775A |
| IPC 分类号 | C30B33/02 | C30B31/04 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91286 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈芳,李占国,刘国军,等. 一种硫钝化与快速热退火二步法处理n-GaSb衬底的方法. CN102660775A[P]. 2012-09-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102660775A.PDF（257KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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