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GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110224299A, 申请日期: 2019-09-10, 公开日期: 2019-09-10
发明人:  赵勇明;  杨国文;  张艳春;  赵卫东
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基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110212409A, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  赵勇明;  杨国文;  张艳春;  赵卫东
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一种垂直腔面发射激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110212408A, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  赵勇明;  杨国文;  张艳春;  赵卫东
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制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110190513A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
发明人:  赵勇明;  杨国文;  张艳春;  赵卫东
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DBR的制备方法及GaAs基VCSEL 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110190512A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
发明人:  赵勇明;  杨国文;  张艳春;  赵卫东
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一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110165550A, 申请日期: 2019-08-23, 公开日期: 2019-08-23
发明人:  赵勇明;  杨国文;  张艳春;  赵卫东
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一种宏通道半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106898943A, 申请日期: 2017-06-27, 公开日期: 2017-06-27
发明人:  张艳春;  王明钧;  朱伟民
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一种半导体激光治疗仪 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN203953807U, 申请日期: 2014-11-26, 公开日期: 2014-11-26
发明人:  张艳春
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半导体激光器插空排列合束方法及高功率半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2013040889A1, 申请日期: 2013-03-28, 公开日期: 2013-03-28
发明人:  LIU, XINGSHENG;  ZHANG, YANCHUN;  WANG, MIN;  ZHENG, YANFANG;  WANG, XIAOBIAO
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一种液体制冷半导体激光器叠阵密封连接结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN202712680U, 申请日期: 2013-01-30, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  张艳春;  刘兴胜
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