基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法

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	基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法
其他题名	基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法
	赵勇明; 杨国文; 张艳春; 赵卫东
	2019-09-06
专利权人	度亘激光技术(苏州)有限公司
公开日期	2019-09-06
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法，其中，方法包括：GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层；其中，所述衬底的晶格常数位于至少一层所述第一折射率层的晶格常数与所述第二折射率层的晶格常数之间；所述第一折射率层的材料包括AlxIn1‑xP。本发明通过调整折射率层的组分使得衬底的晶格常数位于第一折射率层与第二折射率层的晶格常数之间，使得生长在衬底上的第一折射率层以及第二折射率层的所受应变不同，通过应变补偿的方式消除因晶格失配产生的应力，实现无应变分布布拉格反射镜的生长，避免外延片出现晶片翘曲的问题。
其他摘要	本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法，其中，方法包括：GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层；其中，所述衬底的晶格常数位于至少一层所述第一折射率层的晶格常数与所述第二折射率层的晶格常数之间；所述第一折射率层的材料包括Al_xIn_1‑xP。本发明通过调整折射率层的组分使得衬底的晶格常数位于第一折射率层与第二折射率层的晶格常数之间，使得生长在衬底上的第一折射率层以及第二折射率层的所受应变不同，通过应变补偿的方式消除因晶格失配产生的应力，实现无应变分布布拉格反射镜的生长，避免外延片出现晶片翘曲的问题。
主权项	一种基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于，包括：提供GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层；所述衬底的晶格常数位于至少一层所述第一折射率层的晶格常数与所述第二折射率层的晶格常数之间；所述第一折射率层的材料包括AlxIn1-xP。
申请日期	2019-05-31
专利号	CN110212409A
专利状态	申请中
申请号	CN201910471850.2
公开（公告）号	CN110212409A
IPC 分类号	H01S5/187 \| H01S5/183
专利代理人	张琳琳
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55511
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	度亘激光技术(苏州)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	赵勇明,杨国文,张艳春,等. 基于GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法. CN110212409A[P]. 2019-09-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110212409A.PDF（347KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文