GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法

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	GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法
其他题名	GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法
	赵勇明; 杨国文; 张艳春; 赵卫东
	2019-09-10
专利权人	度亘激光技术(苏州)有限公司
公开日期	2019-09-10
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器，其中，方法包括：提供GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层、第一应变补偿层、第二折射率层以及所述第一应变补偿层；其中，所述第一应变补偿层的应变类型与所述第一折射率层以及所述第二折射率层的应变类型相反。本发明采用应力补偿的方式消除因晶格失配产生的应力，实现无应变DBR的生长，避免出现晶片翘曲的问题。
其他摘要	本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器，其中，方法包括：提供GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层、第一应变补偿层、第二折射率层以及所述第一应变补偿层；其中，所述第一应变补偿层的应变类型与所述第一折射率层以及所述第二折射率层的应变类型相反。本发明采用应力补偿的方式消除因晶格失配产生的应力，实现无应变DBR的生长，避免出现晶片翘曲的问题。
主权项	一种分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于，包括：提供GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层、第一应变补偿层、第二折射率层以及所述第一应变补偿层；其中，所述第一应变补偿层的应变类型与所述第一折射率层以及所述第二折射率层的应变类型相反。
申请日期	2019-05-31
专利号	CN110224299A
专利状态	申请中
申请号	CN201910471860.6
公开（公告）号	CN110224299A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	张琳琳
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55521
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	度亘激光技术(苏州)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	赵勇明,杨国文,张艳春,等. GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法. CN110224299A[P]. 2019-09-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110224299A.PDF（422KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文