半导体激光器插空排列合束方法及高功率半导体激光器

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	半导体激光器插空排列合束方法及高功率半导体激光器
其他题名	半导体激光器插空排列合束方法及高功率半导体激光器
	LIU, XINGSHENG; ZHANG, YANCHUN; WANG, MIN; ZHENG, YANFANG; WANG, XIAOBIAO
	2013-03-28
专利权人	XI'AN FOCUSLIGHT TECHNOLOGIES CO., LTD.
公开日期	2013-03-28
授权国家	世界知识产权组织
专利类型	发明申请
摘要	公开了一种半导体激光器插空排列合束方法及由该方法组成的高功率半导体激光器。半导体激光器插空排列合束方法包括：第一半导体激光器叠阵（1）、第二半导体激光叠阵（2）以及合束装置（3）；第一半导体激光器叠阵（1）的多个巴条发出多个第一激光束（4）与第二半导体激光器叠阵（2）的多个巴条发出的多个第二激光束（5）在空间上相互插空对应；多个第一激光束（4）和多个第二激光束（5）经合束装置（3）分别反射和透射后进行插空排列形成合束光（6）。这样，所形成的合束光的光斑大小与一个半导体激光器叠阵所形成的光斑相当。这种半导体激光器插空排列合束方法简单，所形成的高功率半导体激光器结构紧凑，成本低廉。解决了现有叠阵激光器合束方法应用范围有限、成本高的问题。
其他摘要	公开了一种半导体激光器插空排列合束方法及由该方法组成的高功率半导体激光器。半导体激光器插空排列合束方法包括：第一半导体激光器叠阵（1）、第二半导体激光叠阵（2）以及合束装置（3）；第一半导体激光器叠阵（1）的多个巴条发出多个第一激光束（4）与第二半导体激光器叠阵（2）的多个巴条发出的多个第二激光束（5）在空间上相互插空对应；多个第一激光束（4）和多个第二激光束（5）经合束装置（3）分别反射和透射后进行插空排列形成合束光（6）。这样，所形成的合束光的光斑大小与一个半导体激光器叠阵所形成的光斑相当。这种半导体激光器插空排列合束方法简单，所形成的高功率半导体激光器结构紧凑，成本低廉。解决了现有叠阵激光器合束方法应用范围有限、成本高的问题。
申请日期	2012-04-11
专利号	WO2013040889A1
专利状态	未确认
申请号	PCT/CN2012/073814
公开（公告）号	WO2013040889A1
IPC 分类号	G02B27/10 \| H01S5/40
专利代理人	XI'AN ZHIBANG PATENT&TRADEMARK AGENT CO., LTD.
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86126
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	XI'AN FOCUSLIGHT TECHNOLOGIES CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	LIU, XINGSHENG,ZHANG, YANCHUN,WANG, MIN,等. 半导体激光器插空排列合束方法及高功率半导体激光器. WO2013040889A1[P]. 2013-03-28.