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制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器
其他题名制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器
赵勇明; 杨国文; 张艳春; 赵卫东
2019-08-30
专利权人度亘激光技术(苏州)有限公司
公开日期2019-08-30
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及半导体激光器技术领域,具体公开一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器,其中,方法包括:GaAs衬底;依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层;其中,所述第一折射率层的晶格常数大于或小于所述衬底的晶格常数,且所述第二折射率层的晶格常数小于或大于所述衬底的晶格常数。本发明通过调整折射率层的材质使得位于衬底的晶格常数位于两层折射率层的晶格常数之间,使得生长在衬底上的第一折射率层以及第二折射率层所受的应变类型不同,因此可以采用应变补偿的方式消除因晶格失配产生的应力,实现无应变分布布拉格反射镜的生长,避免大尺寸外延片翘曲的问题。
其他摘要本发明涉及半导体激光器技术领域,具体公开一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器,其中,方法包括:GaAs衬底;依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层;其中,所述第一折射率层的晶格常数大于或小于所述衬底的晶格常数,且所述第二折射率层的晶格常数小于或大于所述衬底的晶格常数。本发明通过调整折射率层的材质使得位于衬底的晶格常数位于两层折射率层的晶格常数之间,使得生长在衬底上的第一折射率层以及第二折射率层所受的应变类型不同,因此可以采用应变补偿的方式消除因晶格失配产生的应力,实现无应变分布布拉格反射镜的生长,避免大尺寸外延片翘曲的问题。
主权项一种制备分布布拉格反射镜的方法,其特征在于,包括: 提供GaAs衬底; 依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层;其中,所述第一折射率层的晶格常数小于所述衬底的晶格常数,且所述第二折射率层的晶格常数大于所述衬底的晶格常数。
申请日期2019-05-31
专利号CN110190513A
专利状态申请中
申请号CN201910471488.9
公开(公告)号CN110190513A
IPC 分类号H01S5/183 | H01S5/187 | H01S5/30
专利代理人张琳琳
代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55494
专题半导体激光器专利数据库
作者单位度亘激光技术(苏州)有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
赵勇明,杨国文,张艳春,等. 制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器. CN110190513A[P]. 2019-08-30.
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