Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| DBR的制备方法及GaAs基VCSEL | |
| 其他题名 | DBR的制备方法及GaAs基VCSEL |
赵勇明; 杨国文 ; 张艳春; 赵卫东
| |
| 2019-08-30 | |
| 专利权人 | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 公开日期 | 2019-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种DBR的制备方法及GaAs基VCSEL，其中分布布拉格反射镜的制备方法包括：提供GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层；其中，所述第一与第二折射率层的晶格常数与GaAs衬底相同。本发明通过调整折射率层的材质使得两折射率层与衬底的晶格常数相同位于衬底的晶格常数，使得其内部无应力产生，实现无应变分布布拉格反射镜的生长，避免出现晶片翘曲的问题。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种DBR的制备方法及GaAs基VCSEL，其中分布布拉格反射镜的制备方法包括：提供GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层；其中，所述第一与第二折射率层的晶格常数与GaAs衬底相同。本发明通过调整折射率层的材质使得两折射率层与衬底的晶格常数相同位于衬底的晶格常数，使得其内部无应力产生，实现无应变分布布拉格反射镜的生长，避免出现晶片翘曲的问题。 |
| 主权项 | 一种分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于，包括： 提供GaAs衬底； 在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层，其中，所述第一折射率层的晶格常数与所述衬底的晶格常数相同；所述第二折射率层的晶格常数与所述衬底的晶格常数相同。 |
| 申请日期 | 2019-05-31 |
| 专利号 | CN110190512A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201910471486.X |
| 公开（公告）号 | CN110190512A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/187 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 张琳琳 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55498 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 度亘激光技术(苏州)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵勇明,杨国文,张艳春,等. DBR的制备方法及GaAs基VCSEL. CN110190512A[P]. 2019-08-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN110190512A.PDF（307KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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