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单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13
发明人:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二
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氮化物半导体发光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1799171A, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2006-07-05
发明人:  神川刚;  金子佳加;  元木健作
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单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21
发明人:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二
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GaN単結晶基板 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3788037B2, 申请日期: 2006-04-07, 公开日期: 2006-06-21
发明人:  元木 健作;  西本 達也;  岡久 拓司;  松本 直樹
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