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InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for similar to 10 mu m wavelength infrared range 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 478-481
作者:  ChangYuchun;  WangTao;  YinFei;  WangJingwei;  SongZhenyu;  WangYiding;  YinJingzhi;  Jingzhi Yin
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Inas/gasb Superlattices  Inassb Interface Layer  Growth Temperature  Lp-mocvd  
蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响 期刊论文
光子学报, 2007, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1443-1447
作者:  彭冬生;  冯玉春;  王文欣;  刘晓峰;  施炜;  牛憨笨
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GaSb衬底上外延InAsxSb1-x材料的LP-MOCVD研究 期刊论文
光子学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 9, 页码: 1363-1366
作者:  李晓婷;  王一丁;  汪韬;  殷景致;  王警卫;  赛小锋;  高鸿楷;  张志勇
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LP-MOCVD growth and characterisation of InAsSb ternary 期刊论文
Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 45-49
作者:  Li XT(李晓婷);  Li XT(李晓婷)
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MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究 期刊论文
光子学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 249-252
作者:  李宝霞;  汪韬;  李晓婷;  赛小锋;  高鸿楷
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生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响 期刊论文
光子学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 1479-1482
作者:  汪韬;  李宝霞;  李晓婷;  赛小锋;  高鸿楷
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