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高速率半导体光发射组件的封装结构及方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101017956A, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2007-08-15
发明人:  吴德馨;  杨成樾;  李宝霞
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用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1917311A, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2007-02-21
发明人:  李宝霞;  张靖;  杨华;  王圩
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宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1848464A, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2006-10-18
发明人:  李宝霞;  张靖;  赵玲娟;  王圩
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电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1630149A, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2005-06-22
发明人:  胡小华;  李宝霞;  朱洪亮;  王圩
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MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究 期刊论文
光子学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 249-252
作者:  李宝霞;  汪韬;  李晓婷;  赛小锋;  高鸿楷
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新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究 期刊论文
光子学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 625-627
作者:  汪韬;  赛小锋;  李晓婷;  李宝霞;  高鸿楷
Adobe PDF(160Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：391/5  |  提交时间：2010/01/12
新型菲涅尔线聚光太阳电池组件特性分析 期刊论文
光子学报, 2003, 卷号: 32, 期号: 9, 页码: 1138-1141
作者:  汪韬;  李晓婷;  李宝霞;  高鸿楷;  赛小锋
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生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响 期刊论文
光子学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 1479-1482
作者:  汪韬;  李宝霞;  李晓婷;  赛小锋;  高鸿楷
Adobe PDF(113Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：337/3  |  提交时间：2010/01/12