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生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响
汪韬; 李宝霞; 李晓婷; 赛小锋; 高鸿楷
作者部门光电子学研究室
2002
发表期刊光子学报
ISSN1004-4213
卷号31期号:12页码:1479-1482
学科领域光学
收录类别其他
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/5730
专题光电子学研究室
通讯作者汪韬
推荐引用方式
GB/T 7714
汪韬,李宝霞,李晓婷,等. 生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响[J]. 光子学报,2002,31(12):1479-1482.
APA 汪韬,李宝霞,李晓婷,赛小锋,&高鸿楷.(2002).生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响.光子学报,31(12),1479-1482.
MLA 汪韬,et al."生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响".光子学报 31.12(2002):1479-1482.
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