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面発光半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4877471B2, 申请日期: 2011-12-09, 公开日期: 2012-02-15
发明人:  村上 朱実;  乙間 広己;  石井 亮次
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垂直共振器型面発光レーザ、それを用いた画像形成装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011249557A, 申请日期: 2011-12-08, 公开日期: 2011-12-08
发明人:  稲生 耕久;  井久田 光弘;  竹内 哲也
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一种测试激光二极管高温数据的装置与测试方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102269796A, 申请日期: 2011-12-07, 公开日期: 2011-12-07
发明人:  李明;  薛京谷
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Growth of short-period InAs/GaSb superlattices for infrared sensing 期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 511-+
作者:  Wang Tao;  Yang Jin;  Yin Fei;  Wang Jing-Wei;  Hu Ya-Nan;  Zhang Li-Chen;  Yin Jing-Zhi
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Inas/gasb Superlattice  Band Gap  Metal Organic Chemical Vapor Deposition (Mocvd)  Atomic Force Microscope(Afm)  Pl Spectra  
発光装置、照明装置および車両用前照灯 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011243372A, 申请日期: 2011-12-01, 公开日期: 2011-12-01
发明人:  岸本 克彦
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発光装置、照明装置および車両用前照灯 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011243369A, 申请日期: 2011-12-01, 公开日期: 2011-12-01
发明人:  岸本 克彦
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激光混强场装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102251078A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
发明人:  吴九汇;  胡志平;  张铁山
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窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
发明人:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛;  近江 晋
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レーザ光源装置、光源ユニット及びプロジェクタ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011203430A, 申请日期: 2011-10-13, 公开日期: 2011-10-13
发明人:  宮崎 健;  馬峰 治
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車両用灯具 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011198560A, 申请日期: 2011-10-06, 公开日期: 2011-10-06
发明人:  小池 輝夫;  梁 吉鎬
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