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面発光半導体レーザの製造方法
其他题名面発光半導体レーザの製造方法
村上 朱実; 乙間 広己; 石井 亮次
2011-12-09
专利权人富士ゼロックス株式会社
公开日期2012-02-15
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要【課題】 信頼性および歩留まりを改善する面発光型半導体レーザ用基板を提供する。 【解決手段】 VCSEL用基板100は、スクライビングまたはダイシングする素子分離領域200によって分離された複数の素子領域110を含み、各素子領域110には、基板100と垂直方向にレーザ光を出射する発光部112と、発光部112と電気的に接続された電極パッド118が形成されている。素子分離領域200には、各素子領域110の発光部112とそれぞれ電気的に接続された検査用電極パッド204が形成されている。 【選択図】図2
其他摘要要解决的问题:提供可靠性和良率提高的表面发射半导体激光器基板。解决方案:VCSEL基板100设置有多个元件区域110,元件区域110由执行划线或切割的元件分离区域200分开。在垂直方向上向基板100和电极焊盘118发射激光束的光发射器112电连接到发光部分112,并且形成在每个元件区域110中。检查电极焊盘204电连接到发光器112的发光器112。元件区域110形成在元件分离区域200中
申请日期2005-10-25
专利号JP4877471B2
专利状态失效
申请号JP2005309493
公开(公告)号JP4877471B2
IPC 分类号H01S5/183 | H01S5/042 | H01S5/02
专利代理人片寄 恭三 | 片山 修平
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90821
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士ゼロックス株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
村上 朱実,乙間 広己,石井 亮次. 面発光半導体レーザの製造方法. JP4877471B2[P]. 2011-12-09.
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