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A novel strategy to prepare 2D YBO3: Ce3+-Yb3+ nanosheets with enhanced near-infrared (NIR) emission properties 会议论文
JOURNAL OF CONTROLLED RELEASE, Suzhou, PEOPLES R CHINA, 2016-09-23
作者:  Miao, Hui;  Zhang, Guowei;  Hu, Xiaoyun;  Liu, Enzhou;  Bai, Jintao;  Hou, Xun
Adobe PDF(168Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：351/1  |  提交时间：2017/09/20
2d Materials  Ybo3: ce3+-yb3+  Near-infrared (Nir)  Luminescence  
A novel strategy to prepare 2D g-C3N4 nanosheets and their photoelectrochemical properties 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 690, 页码: 669-676
作者:  Miao, Hui;  Zhang, Guowei;  Hu, Xiaoyun;  Mu, Jianglong;  Han, Tongxin;  Fan, Jun;  Zhu, Changjun;  Song, Lixun;  Bai, Jintao;  Hou, Xun;  Hu, XY (reprint author), Northwest Univ, Sch Phys, Xian 710069, Peoples R China.
Adobe PDF(4149Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：296/4  |  提交时间：2016/11/11
2d  G-c3n4  Photoelectrochemical  Thin Films  
一种半导体激光器工作机架总成 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN205571739U, 申请日期: 2016-09-14, 公开日期: 2016-09-14
发明人:  顾振杰;  王植;  郭炜庭;  张林;  郭巍;  王云山
Adobe PDF(70Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2019/12/26
Hydrothermal synthesis of TiO2 nanostructure films and their photoelectrochemical properties 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 卷号: 358, 页码: 418-424
作者:  Miao, Hui;  Hu, Xiaoyun;  Fan, Jun;  Li, Chaoben;  Sun, Qian;  Hao, Yuanyuan;  Zhang, Guowei;  Bai, Jintao;  Hou, Xun
Adobe PDF(2463Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：295/2  |  提交时间：2015/12/02
Tio2  Nanostructure  Film  Photoelectrochemistry  
一种离散打印激光修复金属零件的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105127420A, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2015-12-09
发明人:  张国伟;  冯莉萍;  宿红刚
Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2020/01/18
带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103579904B, 申请日期: 2015-11-18, 公开日期: 2015-11-18
发明人:  邢军亮;  张宇;  徐应强;  王国伟;  王娟;  向伟;  任正伟;  牛智川
Adobe PDF(823Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2019/12/26
一种以半导体激光制备合金层代替电镀层的芯棒制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104878383A, 申请日期: 2015-09-02, 公开日期: 2015-09-02
发明人:  窦俊雅;  赵冬梅;  郭炜霆;  张林;  郭巍;  王云山;  雷剑波
Adobe PDF(1630Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：144/0  |  提交时间：2019/12/31
一种铁基镍包碳化钨激光熔覆材料的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104831270A, 申请日期: 2015-08-12, 公开日期: 2015-08-12
发明人:  赵冬梅;  王植;  雷剑波;  郭炜庭;  郭巍;  张林;  王云山
Adobe PDF(1409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：116/0  |  提交时间：2019/12/31
双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103078252A, 申请日期: 2013-05-01, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102157903B, 申请日期: 2012-08-08, 公开日期: 2012-08-08
发明人:  迂修;  张宇;  王国伟;  徐应强;  徐云;  宋国峰
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