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带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103579904B, 申请日期: 2015-11-18, 公开日期: 2015-11-18
发明人:  邢军亮;  张宇;  徐应强;  王国伟;  王娟;  向伟;  任正伟;  牛智川
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一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103545713B, 申请日期: 2015-11-11, 公开日期: 2015-11-11
发明人:  张宇;  邢军亮;  徐应强;  任正伟;  牛智川
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103078252A, 申请日期: 2013-05-01, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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