Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 | |
其他题名 | “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 |
迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰 | |
2012-08-08 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2012-08-08 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构;步骤3:在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层。 |
其他摘要 | 一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,包括如下步骤:步骤1:选择一衬底;步骤2:对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构;步骤3:在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层。 |
申请日期 | 2011-01-25 |
专利号 | CN102157903B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201110027237.5 |
公开(公告)号 | CN102157903B |
IPC 分类号 | H01S5/343 | C30B25/20 |
专利代理人 | 汤保平 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48072 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 迂修,张宇,王国伟,等. “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法. CN102157903B[P]. 2012-08-08. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN102157903B.PDF(231KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[迂修]的文章 |
[张宇]的文章 |
[王国伟]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[迂修]的文章 |
[张宇]的文章 |
[王国伟]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[迂修]的文章 |
[张宇]的文章 |
[王国伟]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论