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Method of removing a substrate with a cleaving technique 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2019055936A1, 申请日期: 2019-03-21, 公开日期: 2019-03-21
发明人:  KAMIKAWA, TAKESHI;  GANDROTHULA, SRINIVAS;  LI, HONGJIAN
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Optical component and optical module 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP2557642A3, 申请日期: 2017-07-05, 公开日期: 2017-07-05
发明人:  KAWAKAMI, TOSHIYUKI;  KAMIKAWA, TAKESHI
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Nitride semiconductor light emitting device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20160036197A1, 申请日期: 2016-02-04, 公开日期: 2016-02-04
发明人:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI
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Nitride semiconductor laser chip 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8571083, 申请日期: 2013-10-29, 公开日期: 2013-10-29
发明人:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI
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Nitride semiconductor light emitting device, method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device, and nitride semiconductor transistor device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8067255, 申请日期: 2011-11-29, 公开日期: 2011-11-29
发明人:  KAMIKAWA, TAKESHI;  KAWAGUCHI, YOSHINOBU
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Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7970035, 申请日期: 2011-06-28, 公开日期: 2011-06-28
发明人:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI
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Nitride semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7792172, 申请日期: 2010-09-07, 公开日期: 2010-09-07
发明人:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI;  ITO, SHIGETOSHI
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Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7701994, 申请日期: 2010-04-20, 公开日期: 2010-04-20
发明人:  KONDOU, MASAHUMI;  KAMIKAWA, TAKESHI;  KAWAGUCHI, YOSHINOBU
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Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing the same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7691653, 申请日期: 2010-04-06, 公开日期: 2010-04-06
发明人:  KAMIKAWA, TAKESHI;  KAWAGUCHI, YOSHINOBU
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7633983, 申请日期: 2009-12-15, 公开日期: 2009-12-15
发明人:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI
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