Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser device | |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| KAWAGUCHI, YOSHINOBU; KAMIKAWA, TAKESHI | |
| 2009-12-15 | |
| 专利权人 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 公开日期 | 2009-12-15 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor laser device includes a coating film for adjustment in reflectance formed at a light-emitting portion of semiconductor, wherein the coating film has a thickness d set to satisfy R (d, n)>R (d, n+0.01) and d>λ/n, where n represents a refraction index of the coating film for a lasing wavelength λ, and R (d, n) represents a reflectance at the light-emitting portion depending on the thickness d and the refraction index n. |
| 其他摘要 | 半导体激光装置包括用于在半导体的发光部分处形成的用于调节反射率的涂膜，其中涂膜的厚度d设定为满足R（d，n）> R（d，n + 0.01）和d >λ/ n，其中n表示激光波长λ的涂膜的折射率，R（d，n）表示取决于厚度d和折射率n的发光部分的反射率。 |
| 申请日期 | 2008-01-18 |
| 专利号 | US7633983 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | US12/010028 |
| 公开（公告）号 | US7633983 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/08 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | HARNESS,DICKEY & PIERCE,P.L.C. |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87286 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP KABUSHIKI KAISHA |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KAWAGUCHI, YOSHINOBU,KAMIKAWA, TAKESHI. Semiconductor laser device. US7633983[P]. 2009-12-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US7633983.PDF（461KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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