Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

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	Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device
其他题名	Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device
	KAWAGUCHI, YOSHINOBU; KAMIKAWA, TAKESHI
	2011-06-28
专利权人	SHARP KABUSHIKI KAISHA
公开日期	2011-06-28
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Disclosed are a nitride semiconductor laser element including a light emitting portion made of a nitride semiconductor, and an external-cavity semiconductor laser device using it. In the nitride semiconductor laser element, a coat film made of silicon oxynitride is formed on the light emitting portion, and the reflectance of the coat film to feedback light of laser light emitted from the light emitting portion is 0.5% or less.
其他摘要	公开了一种氮化物半导体激光元件，包括由氮化物半导体制成的发光部分，以及使用它的外腔半导体激光器件。在氮化物半导体激光元件中，在发光部分上形成由氧氮化硅制成的涂层膜，并且涂层膜对从发光部分发射的激光反射光的反射率为0.5％或更小。
授权日期	2011-06-28
申请日期	2009-03-18
专利号	US7970035
专利状态	授权
申请号	US12/406533
公开（公告）号	US7970035
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/08
专利代理人	-
代理机构	BIRCH,STEWART,KOLASCH & BIRCH,LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41836
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	KAWAGUCHI, YOSHINOBU,KAMIKAWA, TAKESHI. Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device. US7970035[P]. 2011-06-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7970035.PDF（831KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文