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Influence of initial tunneling step on the return energy of high-order harmonic generation 期刊论文
PHYSICAL REVIEW A, 2022, 卷号: 106, 期号: 5
作者:  Gao, Xu-Zhen;  Landsman, Alexandra S.;  Cao, Huabao;  Zhang, Yanpeng;  Wang, Yishan;  Fu, Yuxi;  Pi, Liang-Wen
Adobe PDF(528Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：134/3  |  提交时间：2023/02/14
基于轨迹动力学的强场电离与非线性调控的局域态理论研究 学位论文
, 西安: 西安交通大学（西安光机所联合培养）, 2022
作者:  高旭珍
Adobe PDF(8966Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：201/1  |  提交时间：2022/09/15
高次谐波和光电离  强场近似  非均匀场  微扰法  孤子和漩涡  变分近似  
Analysis of a higher-energy structure in nanotip enhanced fields 期刊论文
New Journal of Physics, 2021, 卷号: 23, 期号: 11
作者:  Gao, Xu-Zhen;  Landsman, Alexandra S.;  Wang, Hushan;  Huang, Pei;  Zhang, Yanpeng;  Wang, Bo;  Wang, Yishan;  Cao, Huabao;  Fu, Yuxi;  Pi, Liang-Wen
Adobe PDF(1835Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：191/6  |  提交时间：2021/12/07
direct ionization  inhomogeneous field  nanotip  perturbation method  electron dynamics  
生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人:  李国强;  高芳亮;  张曙光;  徐珍珠;  余粤锋
Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：124/0  |  提交时间：2019/12/26
生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208570525U, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01
发明人:  李国强;  高芳亮;  张曙光;  徐珍珠;  余粤锋
Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：147/0  |  提交时间：2019/12/26
生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109003883A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
发明人:  李国强;  高芳亮;  张曙光;  徐珍珠;  余粤锋
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：172/0  |  提交时间：2020/01/18
硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109003888A, 申请日期: 2018-12-14, 公开日期: 2018-12-14
发明人:  李国强;  高芳亮;  余粤锋;  徐珍珠
Adobe PDF(532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：155/0  |  提交时间：2020/01/18
基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201820702525.3, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2018-11-27
发明人:  杨阳;  曹伟伟;  王博;  白永林;  秦文强;  陈震;  徐鹏;  朱炳林;  缑永胜;  高佳瑞;  白晓红;  秦君军
Adobe PDF(976Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：399/3  |  提交时间：2018/12/28
生长在Si/石墨烯复合衬底上InN纳米柱外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108735866A, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2018-11-02
发明人:  高芳亮;  李国强;  徐珍珠;  余粤锋
Adobe PDF(546Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：142/0  |  提交时间：2019/12/30
生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206271710U, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
发明人:  李国强;  高芳亮;  温雷;  张曙光;  徐珍珠;  韩晶磊;  余粤锋
Adobe PDF(69Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2019/12/26