基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪

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	基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪
其他题名	基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪
	杨阳; 曹伟伟; 王博; 白永林; 秦文强; 陈震; 徐鹏; 朱炳林; 缑永胜; 高佳瑞; 白晓红; 秦君军
	2018-11-27
专利权人	中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期	2018-11-27
授权国家	中国
专利类型	实用新型
产权排序	1
摘要	本实用新型涉及一种基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪，解决了现有紫外成像仪灵敏度低、噪声大、成本高、结构复杂、体积重量较大等问题。该紫外成像仪包括光机系统、紫外电子轰击有源像素传感器、高压选通脉冲模块、读出电子学系统、图像处理与控制系统；光机系统包括成像镜头和滤波片；高压选通脉冲模块分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接；读出电子学系统分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接；紫外电子轰击有源像素传感器包括阴极窗口、紫外光电阴极、管壳和背照式CMOS芯片；紫外光电阴极设置在阴极窗口的内表面；背照式CMOS芯片设置在管壳内部。
主权项	一种基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪，其特征在于：包括光机系统(1)、紫外电子轰击有源像素传感器(2)、高压选通脉冲模块(3)、读出电子学系统(4)、图像处理与控制系统(5)；所述光机系统(1)包括成像镜头(11)和滤波片(12)，图像处理与控制系统(5)控制完成成像镜头(11)的变焦和滤波片(12)的切换；所述高压选通脉冲模块(3)分别与紫外电子轰击有源像素传感器(2)、图像处理与控制系统(5)连接，实现紫外电子轰击有源像素传感器(2)对紫外增强探测和可见光探测工作模式的切换；所述读出电子学系统(4)分别与紫外电子轰击有源像素传感器(2)、图像处理与控制系统(5)连接；所述紫外电子轰击有源像素传感器(2)包括阴极窗口(21)、紫外光电阴极(22)、管壳(23)和背照式CMOS芯片(24)；所述阴极窗口(21)设置在管壳(23)的一端，并与管壳(23)形成真空腔体；所述紫外光电阴极(22)设置在阴极窗口(21)的内表面；所述滤波片(12)位于成像镜头(11)和阴极窗口(21)之间，使经过成像镜头(11)的光线均能经过滤波片(12)；所述背照式CMOS芯片(24)设置在管壳(23)内部，并与紫外光电阴极(22)平行设置；所述背照式CMOS芯片(24)包括由上至下依次设置的表面钝化层(241)、扩散层(242)、读出电路层(243)和衬底层(244)；所述管壳(23)底部设有电信号通路(25)，所述电信号通路(25)分别与背照式CMOS芯片(24)、读出电子学系统(4)连接。
授权日期	2018-11-27
申请日期	2018-05-11
专利号	CN201820702525.3
语种	中文
专利状态	已授权
申请号	CN201820702525.3
PCT属性	否
公开（公告）号	CN208155458U
IPC 分类号	G01J3/28 ; G01J3/00 ; G02B1/00
专利代理人	杨引雪
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30926
专题	热控技术研究室_其它单位_其它部门
作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
第一作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨阳,曹伟伟,王博,等. 基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪. CN201820702525.3[P]. 2018-11-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
2018207025253.pdf（976KB）	专利		限制开放	CC BY-NC-SA	请求全文