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半導体レーザ素子、窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザデバイス 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014022379A, 申请日期: 2014-02-03, 公开日期: 2014-02-03
发明人:  川上 俊之;  神川 剛
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窒化物半導体レーザ素子、およびそれを用いた光ディスク装置ならびに画像表示装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011238749A, 申请日期: 2011-11-24, 公开日期: 2011-11-24
发明人:  川口 佳伸;  神川 剛
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窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法、ならびに光ディスク装置、および画像表示装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2011228350A, 申请日期: 2011-11-10, 公开日期: 2011-11-10
发明人:  川口 佳伸;  神川 剛
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窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
发明人:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛;  近江 晋
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窒化物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009194150A, 申请日期: 2009-08-27, 公开日期: 2009-08-27
发明人:  神川 剛;  川口 佳伸
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窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008263247A, 申请日期: 2008-10-30, 公开日期: 2008-10-30
发明人:  神川 剛;  川口 佳伸
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窒化物系半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008147363A, 申请日期: 2008-06-26, 公开日期: 2008-06-26
发明人:  神川 剛;  川口 佳伸
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窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007173581A, 申请日期: 2007-07-05, 公开日期: 2007-07-05
发明人:  山本 秀一郎;  神川 剛;  川口 佳伸
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003092450A, 申请日期: 2003-03-28, 公开日期: 2003-03-28
发明人:  神川 剛;  石田 真也;  伊藤 茂稔
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000196143A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14
发明人:  種谷 元隆;  神川 剛;  毛利 裕一;  近藤 雅文;  山田 英司
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