Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 |
| 神川 剛; 川口 佳伸 | |
| 2009-08-27 | |
| 专利权人 | SHARP CORP |
| 公开日期 | 2009-08-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】430nmより長い波長領域で発光する窒化物半導体発光素子において、光出射端面をエッチングで形成してその端面に適切なコート膜を形成することによって、特性および寿命が改善された素子を提供し、また素子間の特性および寿命のばらつきを低減して素子の信頼性を高める。 【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板(101)上に形成された窒化物半導体積層構造(102-108)を含み、この窒化物半導体積層構造はインジウムを含む窒化物半導体からなる活性層(105)を含み、記窒化物半導体積層構造の光出射端面(103)がエッチングにより形成されており、光出射端面上に酸窒化物からなる端面コート膜が形成されていることを特徴としている。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种发射波长超过430nm的光的氮化物半导体发光元件，通过蚀刻形成发光端面并在其端面上形成适当的涂膜来改善其特性和寿命的元件并且还减少了元件之间的特性和寿命的变化，从而提高了元件的可靠性。 氮化物半导体发光器件包括形成在氮化物半导体衬底（101）上的氮化物半导体叠层结构（102-108），其中氮化物半导体叠层结构由含铟的氮化物半导体形成，通过蚀刻形成氮化物半导体多层结构的发光端面（103），并且在发光端面上形成由氮氧化物制成的端面涂层膜它具有它。 点域1 |
| 申请日期 | 2008-02-14 |
| 专利号 | JP2009194150A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008033199 |
| 公开（公告）号 | JP2009194150A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/028 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 深見 久郎 | 森田 俊雄 | 仲村 義平 | 堀井 豊 | 野田 久登 | 酒井 將行 | 荒川 伸夫 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87840 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川 剛,川口 佳伸. 窒化物半導体発光素子. JP2009194150A[P]. 2009-08-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009194150A.PDF（106KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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