Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 神川 剛; 石田 真也; 伊藤 茂稔 | |
| 2003-03-28 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 2003-03-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 エイジング試験を行なった際、ファーフィールドパターンの変化を抑えることができるように改良された半導体発光装置を提供することを主要な目的とする。 【解決手段】 半導体発光素子チップは、窒化物系化合物半導体基板105とその上に設けられた窒化物系化合物半導体層106とを有する。サブマウント103の上に半導体発光素子チップがマウントされている。半導体発光素子チップのレーザ光出射端面が、サブマウント103の端面より、5μm≦L≦100μmの範囲で前方にずれるように、半導体発光素子チップがサブマウント103の上にマウントされている(式中、Lは、ずらした距離を表わしている)。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种改进的半导体发光单元，以在执行老化测试时抑制远场图案的变化。解决方案：半导体发光元件芯片具有氮化物化合物半导体衬底105和设置在衬底105上的氮化物化合物半导体层106.芯片安装在子底座103上，使得激光束发射芯片的端面在距离底座103的端面5英尺<= L <= 100微米的范围内向前偏离（其中L是偏离距离）。 |
| 申请日期 | 2001-09-19 |
| 专利号 | JP2003092450A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2001284369 |
| 公开（公告）号 | JP2003092450A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/022 |
| 专利代理人 | 深見 久郎 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67938 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川 剛,石田 真也,伊藤 茂稔. 半導体発光装置. JP2003092450A[P]. 2003-03-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2003092450A.PDF（35KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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