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激光二极管 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1913263B, 申请日期: 2012-12-12, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  佐藤庆二;  林隆一郎;  及川健二;  浅野竹春
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半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30
发明人:  山口 恭司;  小林 俊雅;  喜嶋 悟;  小林 高志;  朝妻 庸紀;  浅野 竹春;  日野 智公
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激光二极管和激光二极管器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1933262A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
发明人:  仓本大;  浅野竹春
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半导体器件制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1302519C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28
发明人:  日野智公;  浅野竹春;  朝妻庸纪;  喜嶋悟;  船户健次;  富谷茂隆
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氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24
发明人:  后藤修;  浅野竹春;  竹谷元伸;  簗克典;  池田真朗;  涉谷胜义;  铃木康彦
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000164985A, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-06-16
发明人:  吉田 浩;  浅野 竹春
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999026868A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29
发明人:  東條 剛;  浅野 竹春
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II-VI族化合物半導体の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997270564A, 申请日期: 1997-10-14, 公开日期: 1997-10-14
发明人:  浅野 竹春
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発光素子およびそれを用いたレーザCRT 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995335990A, 申请日期: 1995-12-22, 公开日期: 1995-12-22
发明人:  浅野 竹春;  船戸 健次;  戸田 淳
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半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000040856A, 公开日期: 2000-02-08
发明人:  浅野 竹春;  朝妻 庸紀;  日野 智公;  池田 昌夫
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