激光二极管和激光二极管器件

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	激光二极管和激光二极管器件
其他题名	激光二极管和激光二极管器件
	仓本大; 浅野竹春
	2007-03-21
专利权人	索尼株式会社
公开日期	2007-03-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种可以容易安装的激光二极管以及其中安装了该激光二极管的激光二极管器件。将孔布置在半导体层内，p型电极和n型半导体层通过该孔的底部(连接部分)而相互电连接。这样，p型电极具有和n型半导体层相同的电势，且可饱和吸收区域形成于和电流通路相对应的区域内。增益区域(未示出)内产生的光被吸收到可饱和吸收区域内而被转换成电流。该电流通过p侧电极和底部而被释放到地，可饱和吸收区域和增益区域之间的相互作用被触发，由此产生自振荡。
其他摘要	本发明提供了一种可以容易安装的激光二极管以及其中安装了该激光二极管的激光二极管器件。将孔布置在半导体层内，p型电极和n型半导体层通过该孔的底部(连接部分)而相互电连接。这样，p型电极具有和n型半导体层相同的电势，且可饱和吸收区域形成于和电流通路相对应的区域内。增益区域(未示出)内产生的光被吸收到可饱和吸收区域内而被转换成电流。该电流通过p侧电极和底部而被释放到地，可饱和吸收区域和增益区域之间的相互作用被触发，由此产生自振荡。
主权项	一种激光二极管，包含：半导体层，所述半导体层通过层叠第一导电类型层、有源层和第二导电类型层形成，所述第二导电类型层在其顶部包含条形电流限制结构；多个电极，所述多个电极形成在所述半导体层的第二导电类型层侧上，并以预定间隔电连接到所述第二导电类型层；以及连接部分，所述连接部分设置在所述半导体层内从而与所述有源层电隔离，并将所述多个电极中除至少一个电极之外的电极与所述第一导电类型层相互连接。
申请日期	2006-09-18
专利号	CN1933262A
专利状态	失效
申请号	CN200610153767.3
公开（公告）号	CN1933262A
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	刘红 \| 梁永
代理机构	中国专利代理(香港)有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65483
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	索尼株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	仓本大,浅野竹春. 激光二极管和激光二极管器件. CN1933262A[P]. 2007-03-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1933262A.PDF（1633KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文