半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法

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	半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法
其他题名	半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法
	浅野竹春; 朝妻庸紀; 日野智公; 池田昌夫
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2000-02-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】製造が容易でかつ共振器端面の平坦度を高くすることができる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイアよりなる基板1にバッファ層2を介してGaNよりなる下地層3を形成したのち、下地層3の方向に延長された開口部4aを有するマスク層4を介してGaNよりなる被覆成長層5を成長させる。その上にIII族ナイトライド化合物半導体よりなるn型クラッド層7,活性層9,p型クラッド層11などを積層する。共振器方向Bを下地層3の方向としてマスク開口延長方向Aと90度異ならせ、共振器方向Bに一対の共振器端面16,17をそれぞれ形成する。よって、発光領域をマスク層4に合わせて位置合わせする必要がない。また、共振器方向Bに位置する共振器端面16,17を劈開により形成することができ、容易に平坦度を高くできる。
其他摘要	要解决的问题：在促进制造的同时增强谐振器边缘的平面性。解决方案：在通过掩模层4生长GaN的涂层5之前，在蓝宝石衬底1上通过缓冲层2形成GaN的下层3，掩模层4具有在下层的方向上延伸的开口4a在其上形成III族氮化物化合物导体的n型覆层7，有源层9和p型覆层11。谐振器的方向B设置在下层3的方向上并且相差90度。在谐振器的B方向上形成一个掩模开口的延伸方向A和一对谐振器边缘16,17。因此，不需要将发光区域与掩模层4对准。此外，由于可以通过解理形成位于谐振器的方向B上的谐振器边缘16,17，因此可以容易地增强平面性。
申请日期	1998-07-23
专利号	JP2000040856A
专利状态	失效
申请号	JP1998208454
公开（公告）号	JP2000040856A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	藤島洋一郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43785
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	浅野竹春,朝妻庸紀,日野智公,等. 半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法. JP2000040856A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000040856A.PDF（120KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文