Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| II-VI族化合物半導体の製造方法 | |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体の製造方法 |
| 浅野 竹春 | |
| 1997-10-14 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1997-10-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 Si基板上に高品質なII-VI族化合物半導体を成長させる製造方法を提供する。 【解決手段】 Si基板上にII-VI族化合物半導体を成長させる前のSi基板熱処理時にAsH3 を導入する。AsH3 の流量は5μmol/min以上360μmol/min以下とする。本発明を発光ダイオードの製造に適用した場合は、Si基板11の熱処理時にAsH3 を、例えば23μmol/min導入する。その後、n型ZnSeクラッド層12、ZnCdSe活性層13、p型ZnSeクラッド層14を順次成長させる。更に、成長層の1部分をn型ZnSeクラッド層12の途中まで選択的にエッチングし、n型半導体側の電極15として例えばInを蒸着する。また、p型ZnSeクラッド層14にはp型半導体側の電極16として例えばAuを蒸着する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种在Si衬底上生长高质量II-VI化合物半导体的制造方法。 在Si衬底热处理期间引入AsH 3 ，然后在Si衬底上生长II-VI族化合物半导体。 AsH 3 的流速不小于5μmol/ min且不大于360μmol/ min。在将本发明应用于发光二极管的制造的情况下，在Si衬底11的热处理期间引入例如23μmol/ min的AsH 3 。之后，依次生长n型ZnSe包覆层12，ZnCdSe有源层13和p型ZnSe包覆层14。此外，将生长层的一部分选择性地蚀刻到n型ZnSe包覆层12的中间，例如，将In作为电极15气相沉积在n型半导体侧上。在p型ZnSe包覆层14上，例如，Au在p型半导体侧作为电极16蒸发。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1996-04-01 |
| 专利号 | JP1997270564A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996078845 |
| 公开（公告）号 | JP1997270564A |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01L21/363 | H01L21/203 | H01L21/365 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67210 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅野 竹春. II-VI族化合物半導体の製造方法. JP1997270564A[P]. 1997-10-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997270564A.PDF（149KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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