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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
发明人: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
发明人: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
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| 用于p型AlGaN霍尔测试的欧姆接触层及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106783978A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
发明人: 田爱琴; 刘建平; 池田昌夫; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉
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| 激光二极管 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102403650B, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
发明人: 横山弘之; 河野俊介; 大木智之; 池田昌夫; 宫嶋孝夫; 渡边秀辉
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| 锁模半导体激光器件及其驱动方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102195232B, 申请日期: 2014-01-22, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 大木智之; 仓本大; 池田昌夫; 宫岛孝夫; 渡边秀辉; 横山弘之
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| 二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102856788A, 申请日期: 2013-01-02, 公开日期: 2013-01-02
发明人: 渡边秀辉; 宫岛孝夫; 池田昌夫; 大木智之; 仓本大; 横山弘之
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| 驱动激光二极管器件的方法和激光二极管设备 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101854028A, 申请日期: 2010-10-06, 公开日期: 2010-10-06
发明人: 横山弘之; 河野俊介; 大木智之; 池田昌夫
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| 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010153429A, 申请日期: 2010-07-08, 公开日期: 2010-07-08
发明人: 太田 誠; 横山 弘之; 倉本 大; 池田 昌夫
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| 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010153430A, 申请日期: 2010-07-08, 公开日期: 2010-07-08
发明人: 太田 誠; 横山 弘之; 倉本 大; 池田 昌夫
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| 激光二极管、光盘装置与光学拾波器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101635434A, 申请日期: 2010-01-27, 公开日期: 2010-01-27
发明人: 太田诚; 横山弘之; 仓本大; 池田昌夫
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