二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法

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	二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法
其他题名	二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法
	渡边秀辉; 宫岛孝夫; 池田昌夫; 大木智之; 仓本大; 横山弘之
	2013-01-02
专利权人	索尼公司
公开日期	2013-01-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
其他摘要	本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
主权项	一种二分型半导体激光元件，其中，包括： (a)层积结构体，所述层积结构体通过依次层积如下层来构成，即：具有第一导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第一化合物半导体层、由GaN系半导体构成的构成发光区域和可饱和吸收区域的化合物半导体层、以及具有与第一导电型不同的第二导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第二化合物半导体层； (b)形成在第二化合物半导体层上的带状的第二电极；以及 (c)电连接在第一化合物半导体层上的第一电极，并且，第二电极通过分离槽被分离成第一部分和第二部分，其中第一部分用于通过使直流电流经由发光区域流向第一电极来使层积结构体形成正偏状态，第二部分用于对可饱和吸收区域施加电场，第二电极的第一部分和第二部分之间的电阻大于等于第二电极和第一电极之间的电阻的10倍。
申请日期	2010-03-19
专利号	CN102856788A
专利状态	失效
申请号	CN201210034734.2
公开（公告）号	CN102856788A
IPC 分类号	H01S5/0625 \| H01S5/042 \| H01S5/343 \| B82Y20/00
专利代理人	柳春雷
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65206
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	索尼公司
推荐引用方式 GB/T 7714	渡边秀辉,宫岛孝夫,池田昌夫,等. 二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法. CN102856788A[P]. 2013-01-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102856788A.PDF（1771KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文